受到新能源汽車、光伏等市場(chǎng)的拉動(dòng)，功率半導(dǎo)體需求上漲，多個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目近日傳來(lái)最新進(jìn)展：

乂易半導(dǎo)體：總投資11億元的無(wú)錫乂易車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目近日簽約徐州，規(guī)劃生產(chǎn)IGBT、SiC等產(chǎn)品約36萬(wàn)片；芯未半導(dǎo)體：投資10億IGBT項(xiàng)目一期正式通線，預(yù)計(jì)形成6萬(wàn)片IGBT晶片、120萬(wàn)只模塊產(chǎn)能；順為科技：總投資7.5億IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約株洲，規(guī)劃400萬(wàn)個(gè)IGBT模塊和100萬(wàn)個(gè)SiC模塊產(chǎn)能，年底啟動(dòng)建設(shè)；貝茵凱：1200V、1700V、1000V三款大功率IGBT芯片流片，良率接近100%。

乂易半導(dǎo)體：11億功率器件項(xiàng)目簽約

10月14日，據(jù)“徐州高新發(fā)布”公眾號(hào)消息，徐州高新區(qū)最近新簽約5個(gè)項(xiàng)目，涵蓋新能源、半導(dǎo)體、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域，總投資額101.3億元。

其中，新簽約無(wú)錫乂易車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資約11億元，年產(chǎn)平面柵高壓VDMOS、寬溝槽大功率MOS、超結(jié)MOS、平面柵NPTIGBT、寬溝槽柵NPTIGBT、寬溝槽柵FSIGBT、寬溝槽柵CSTBT、SiCSBD、GaN、SiCMOS等共計(jì)約36萬(wàn)片。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年銷售收入約11.5億元。

官網(wǎng)信息顯示，乂易半導(dǎo)體科技（無(wú)錫）有限公司，以半導(dǎo)體功率器件研發(fā)、制造為核心業(yè)務(wù)，擁有完善的芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造相關(guān)專有技術(shù)，包括功率器件、PMIC、CMOS、驅(qū)動(dòng)芯片、CIS、MEMS等各類半導(dǎo)體技術(shù)。目前，乂易半導(dǎo)體擁有相關(guān)技術(shù)專利48項(xiàng)，其中41項(xiàng)為“車規(guī)級(jí)功率器件晶圓代工項(xiàng)目”，并且已經(jīng)和多家設(shè)計(jì)及封裝企業(yè)簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議代工6萬(wàn)片晶圓，具備了規(guī)劃、建設(shè)、研發(fā)、制造的整個(gè)技術(shù)鏈上的全面經(jīng)驗(yàn)。

芯未半導(dǎo)體：10億IGBT項(xiàng)目一期通線

10月13日，成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司一期通線儀式順利舉行，標(biāo)志著芯未一期項(xiàng)目全面通線投產(chǎn)。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資約10億元，建成投產(chǎn)后將為功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組建產(chǎn)品等，實(shí)現(xiàn)年?duì)I收9億元。該項(xiàng)目于2022年8月初正式開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)。

據(jù)此前報(bào)道，芯未半導(dǎo)體項(xiàng)目位于成都高新西區(qū)，是成都首個(gè)功率半導(dǎo)體代工平臺(tái)，也是成都規(guī)模最大的功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)，主要為功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)、制造企業(yè)、終端應(yīng)用企業(yè)等提供從IGBT晶圓背面加工-模塊封測(cè)-集成組件的一站式代工服務(wù)。本次通線投產(chǎn)后，將形成約6萬(wàn)片/年IGBT晶圓（折合8寸）、120萬(wàn)只/年功率模塊生產(chǎn)能力。

順為科技：7.5億IGBT/SiC項(xiàng)目簽約

10月7日，據(jù)“石峰發(fā)布”報(bào)道，湖南株洲石峰區(qū)近日舉行順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約儀式。

據(jù)悉，順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目位于田心高科園，項(xiàng)目總投資7.5億元，預(yù)計(jì)在今年年底啟動(dòng)建設(shè)，明年上半年正式投產(chǎn)，建成達(dá)產(chǎn)400萬(wàn)個(gè)IGBT模塊及100萬(wàn)個(gè)SiC模塊，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值8億元。

此外，今年以來(lái)順為科技在全國(guó)多地布點(diǎn)，投入半導(dǎo)體項(xiàng)目。今年3月，順為科技與?？诘聬偤炗喓献鲄f(xié)議，順為科技集團(tuán)主導(dǎo)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目正式落戶海口綜保區(qū)。該項(xiàng)目總投資額超過(guò)32億元，將在?？诰C保區(qū)投資芯片檢測(cè)封裝、半導(dǎo)體設(shè)備制造及光電顯示產(chǎn)品制造、半導(dǎo)體硅材料12英寸硅晶棒及300mm硅片生產(chǎn)制造等，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后5年內(nèi)工業(yè)總產(chǎn)值將達(dá)到200億元。

貝茵凱：3款大功率IGBT芯片流片，良率近100%

10月13日，據(jù)消息人士透露，北京貝茵凱微電子有限公司一次流片過(guò)程中就產(chǎn)出三款大功率系列產(chǎn)品，電壓分別達(dá)到了1200V、1700V與1000V，其關(guān)鍵指標(biāo)均達(dá)預(yù)期，良率幾乎達(dá)到100%。

2022年5月，貝茵凱在北京成立的集成電路研發(fā)及總部基地作為先進(jìn)功率器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造及相關(guān)產(chǎn)品正致力于積聚，核心產(chǎn)品為1.6微米Pitch的第7代硅基IGBT功率芯片和碳化硅MOSFET功率芯片。今年8月，貝茵凱獨(dú)自開(kāi)發(fā)出了“第7代大功率IGBT”，并在12英寸晶片上亮相。以200A電流規(guī)格而言，12英寸晶片能生產(chǎn)約400顆芯片，而8英寸晶片能生產(chǎn)約150顆芯片。