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ABB 5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 2023可控硅 

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電力電子器件（Power Electronic Device），又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中 電力二極管為不可控器件，結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；還可以分為電壓驅(qū)動(dòng)型器件和電流驅(qū)動(dòng)型器件，其中GTO、GTR為電流驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動(dòng)型器件。

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ABB

3ASC25H203

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IGCT集成門(mén)極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開(kāi)發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(集成門(mén)極換流晶閘管=門(mén)極換流晶閘管+門(mén)極單元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使變流裝置在

功率、可靠性、開(kāi)關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來(lái)了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門(mén)極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。己用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)裝置（100MVA）和的中功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置（5MW)IGCT在中壓變頻器領(lǐng)域內(nèi)成功的應(yīng)用了11年的時(shí)間（到09年為止)，由于IGCT的高速開(kāi)關(guān)能力無(wú)需緩沖電路，因而所需的功率元件數(shù)目更少，運(yùn)行的可靠性大大增高。

IGCT集IGBT（絕緣門(mén)極雙極性晶體管）的高速開(kāi)關(guān)特性和GTO（門(mén)極關(guān)斷品閘管）的高阻斷電壓和低導(dǎo)通損耗特性于一體，一般觸發(fā)信號(hào)通過(guò)光纖傳輸?shù)絀GCT單元。在ACS6000的有緣整流單元的相模塊里，每相模塊由IGCT和二極管、鉗位電容組成，由獨(dú)立的門(mén)極供電單元GUSP為其提供能源。