ABB 5SHY3545L0020 PLC模塊 提供精準控制
5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發(fā)射極技術的新型大功率半導體開關器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發(fā)射極技術，因而使動態(tài)損耗降低了約50％，另外，此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態(tài)特性的續(xù)流二極管，從而以其獨特的方式實現(xiàn)了晶閘管的低通態(tài)壓降、高阻斷電壓和晶體管穩(wěn)定的開關特性有機結合.
5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和柵極驅動電路集成在一起，再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩(wěn)定關斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件，它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性能，5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅動單元，因而造成可靠性下降，價格較高，也不利于串聯(lián)。但是，在大功率MCT技術尚未成熟以前，IGCT已經(jīng)成為高壓大功率低頻交流器的優(yōu)選方案。
公司主營控制系統(tǒng)(DCS、PLC/SPS、CNC)，面板控制器、HMI和顯示面板、工業(yè)PC、驅動器(變頻器和伺服系統(tǒng))、電機、電源
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ABB:AC800M系列控制器I/O模塊、AC800F系列控制器模塊、AC31系列控制器模塊、800xA系列模塊、Bailey INFI 90模塊、DSQC機器人模塊備件、Advant OCS系統(tǒng)備件、H&B Freelance
本特利內(nèi)華達:Bently 3500監(jiān)控系統(tǒng)，Bently 3300監(jiān)控系統(tǒng)，前置器，渦流傳感器探頭
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英維思Triconex卡:冗余容錯控制系統(tǒng)、基于三重模件冗余(TMR)結構的現(xiàn)代化的容錯控制器。
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